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IT之家 1 月 26 日信息，泛林集团 Lam Research 美国加州表地年光本月 14 日布告，其干式光刻胶身手告成通过 imec 认证，可直接正在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层造造）中完成 28nm 间距的直接图案化，
目前正在前辈造程范围常用的光刻胶为基于化学放大道理的湿式旋涂光刻胶，而泛林的干式光刻胶则是由幼于 0.5nm 的金属有机微粒单位气相浸积而来。
泛林宣扬其干式光刻胶拥有更精良的光子缉捕材干，同韶华刻胶层的厚度也更容易调控。正在全体展现方面，这一新型光刻胶可驯服 EUV 光刻范围曝光剂量和缺陷率这对合键冲突，同时较湿化学光刻胶更为环保。
泛林干式光刻胶正在后道工艺中的图案化材干目前已正在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上取得了验证，改日还可扩展至逐渐加入利用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平台上。
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